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Si7620DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.40
0.32
I D = 3.6 A
0.24
T J = 125 °C
10
0.16
T J = 25 °C
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.0 8
1
0.00
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
4.2
3. 8
3.4
3.0
2.6
2.2
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
50
40
30
20
10
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power (Junction-to-Ambient)
100
B V DSS
Limited by R DS(on) *
Limited
10
100 μs
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.1
1
10
100
1000
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 68702
S-81215-Rev. A, 02-Jun-08
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